STW18NM80

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STW18NM80
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 17A TO-247
Specifiche:	STW18NM80.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	12549 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 12549 pcs

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Specifiche di STW18NM80

Modello di prodotti	STW18NM80	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A TO-247	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	12549 pcs	Scheda dati	STW18NM80.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247-3
Serie	MDmesh™	Rds On (max) a Id, Vgs	295 mOhm @ 8.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	190W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	497-10085-5
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2070pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	800V
Descrizione dettagliata	N-Channel 800V 17A (Tc) 190W (Tc) Through Hole TO-247-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	17A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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