STW50N65DM2AG

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STW50N65DM2AG
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 650V 28A
Specifiche:	STW50N65DM2AG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	10855 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 10855 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $2.876

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Specifiche di STW50N65DM2AG

Modello di prodotti	STW50N65DM2AG	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	MOSFET N-CH 650V 28A	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	10855 pcs	Scheda dati	STW50N65DM2AG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	Automotive, AEC-Q101, MDmesh™ DM2	Rds On (max) a Id, Vgs	87 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	Altri nomi	497-16138-5
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3200pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	70nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 28A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	28A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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