STW70N60M2-4

STMicroelectronics

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	STW70N60M2-4
Costruttore / Marca:	STMicroelectronics
Descrizione del prodotto	POWER MOSFET
Specifiche:	STW70N60M2-4.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	9865 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 9865 pcs

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600 pcs: $3.068

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Specifiche di STW70N60M2-4

Modello di prodotti	STW70N60M2-4	fabbricante	STMicroelectronics
Descrizione	POWER MOSFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	9865 pcs	Scheda dati	STW70N60M2-4.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247
Serie	MDmesh™ M2	Rds On (max) a Id, Vgs	40 mOhm @ 34A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	450W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-247-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5200pF @ 100V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	118nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 68A (Tc) 450W (Tc) Through Hole TO-247
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	68A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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