TSM024NA04LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TSM024NA04LCR RLG
Costruttore / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN
Specifiche:	TSM024NA04LCR RLG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	116956 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 116956 pcs

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Specifiche di TSM024NA04LCR RLG

Modello di prodotti	TSM024NA04LCR RLG	fabbricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 170A 8PDFN	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	116956 pcs	Scheda dati	TSM024NA04LCR RLG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PDFN (5x6)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.4 mOhm @ 25A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	125W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerTDFN	Altri nomi	TSM024NA04LCR RLGTR TSM024NA04LCR RLGTR-ND TSM024NA04LCRRLGTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	4224pF @ 20V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	67nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	40V
Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 170A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	170A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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