TSM110NB04LCR RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TSM110NB04LCR RLG
Costruttore / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH
Specifiche:	TSM110NB04LCR RLG.pdf
Condizione di scorta	103873 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di TSM110NB04LCR RLG

Modello di prodotti	TSM110NB04LCR RLG	fabbricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione	MOSFET SINGLE N-CHANNEL TRENCH	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	103873 pcs	Scheda dati	TSM110NB04LCR RLG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-PDFN (5x6)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	11 mOhm @ 12A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.1W (Ta), 68W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-PowerLDFN	Altri nomi	TSM110NB04LCRRLGCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1269pF @ 20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	23nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	40V	Descrizione dettagliata	N-Channel 40V 12A (Ta), 54A (Tc) 3.1W (Ta), 68W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 54A (Tc)

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Specifiche

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