TSM120N06LCS RLG

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TSM120N06LCS RLG
Costruttore / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP
Specifiche:	TSM120N06LCS RLG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	117063 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 117063 pcs

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Specifiche di TSM120N06LCS RLG

Modello di prodotti	TSM120N06LCS RLG	fabbricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 60V 23A 8SOP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	117063 pcs	Scheda dati	TSM120N06LCS RLG.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-SOP
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	12 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	12.5W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)	Altri nomi	TSM120N06LCS RLGCT TSM120N06LCS RLGCT-ND TSM120N06LCSRLGCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2193pF @ 30V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	37nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	60V
Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 23A (Tc) 12.5W (Tc) Surface Mount 8-SOP	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	23A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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