TSM1NB60SCT B0

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TSM1NB60SCT B0
Costruttore / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 500MA TO92
Specifiche:	TSM1NB60SCT B0.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	3166 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3166 pcs

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Specifiche di TSM1NB60SCT B0

Modello di prodotti	TSM1NB60SCT B0	fabbricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 500MA TO92	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	3166 pcs	Scheda dati	TSM1NB60SCT B0.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	10 Ohm @ 250mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.5W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Altri nomi	TSM1NB60SCTB0	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	138pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.1nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	600V	Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 500mA (Tc) 2.5W (Tc) Through Hole TO-92
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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