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TSM4800N15CX6 RFG

TSC (Taiwan Semiconductor)TSC (Taiwan Semiconductor)
TSM4800N15CX6 RFG Image
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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti: TSM4800N15CX6 RFG
Costruttore / Marca: TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26
Specifiche: TSM4800N15CX6 RFG.pdf
Stato RoHS Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta 114689 pcs stock
Nave da Hong Kong
Modo di spedizione DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS
In Stock 114689 pcs
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Specifiche di TSM4800N15CX6 RFG

Modello di prodotti TSM4800N15CX6 RFG fabbricante TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione MOSFET N-CH 150V 1.4A SOT26 Stato Lead senza piombo / RoHS Senza piombo / RoHS
quantità disponibile 114689 pcs Scheda dati TSM4800N15CX6 RFG.pdf
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA Vgs (Max) ±20V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) Contenitore dispositivo fornitore SOT-26
Serie - Rds On (max) a Id, Vgs 480 mOhm @ 1.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 2.1W (Tc) imballaggio Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro SOT-23-6 Altri nomi TSM4800N15CX6 RFGCT
TSM4800N15CX6 RFGCT-ND
TSM4800N15CX6RFGCT
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) Tipo montaggio Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL) 1 (Unlimited) Stato senza piombo / Stato RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 332pF @ 10V Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 10V
Tipo FET N-Channel Caratteristica FET -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V Tensione drain-source (Vdss) 150V
Descrizione dettagliata N-Channel 150V 1.4A (Tc) 2.1W (Tc) Surface Mount SOT-26 Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1.4A (Tc)

Metodo di spedizione

★ SPEDIZIONE GRATUITA TRAMITE DHL / FEDEX / UPS SE L'IMPORTO DELL'ORDINE SUPERIORE A 1.000 USD.
(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

FEDEX www.FedEx.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
DHL www.DHL.com A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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