TSM4NB65CI C0G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TSM4NB65CI C0G
Costruttore / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220
Specifiche:	TSM4NB65CI C0G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	82657 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di TSM4NB65CI C0G

Modello di prodotti	TSM4NB65CI C0G	fabbricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 650V 4A ITO220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	82657 pcs	Scheda dati	TSM4NB65CI C0G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ITO-220
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	3.37 Ohm @ 2A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	70W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab	Altri nomi	TSM4NB65CI C0G-ND TSM4NB65CIC0G
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	549pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13.46nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 4A (Tc) 70W (Tc) Through Hole ITO-220	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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