TSM60NB600CH C5G

TSC (Taiwan Semiconductor)

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TSM60NB600CH C5G
Costruttore / Marca:	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251
Specifiche:	TSM60NB600CH C5G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	50889 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 50889 pcs

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Specifiche di TSM60NB600CH C5G

Modello di prodotti	TSM60NB600CH C5G	fabbricante	TSC (Taiwan Semiconductor)
Descrizione	MOSFET N-CHANNEL 600V 7A TO251	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	50889 pcs	Scheda dati	TSM60NB600CH C5G.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-251 (IPAK)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	600 mOhm @ 2.1A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	63W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA	Altri nomi	TSM60NB600CH C5G-ND TSM60NB600CHC5G
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	516pF @ 100V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 7A (Tc) 63W (Tc) Through Hole TO-251 (IPAK)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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