2SA1955FVATPL3Z

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SA1955FVATPL3Z
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS PNP 12V 0.4A VESM
Specifiche:	2SA1955FVATPL3Z.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	174355 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 174355 pcs

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25 pcs: $0.104

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Specifiche di 2SA1955FVATPL3Z

Modello di prodotti	2SA1955FVATPL3Z	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PNP 12V 0.4A VESM	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	174355 pcs	Scheda dati	2SA1955FVATPL3Z.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	12V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 10mA, 200mA
Tipo transistor	PNP	Contenitore dispositivo fornitore	CST3
Serie	-	Potenza - Max	100mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SC-101, SOT-883
Altri nomi	2SA1955FVATPL3ZCT	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	130MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor PNP 12V 400mA 130MHz 100mW Surface Mount CST3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	300 @ 10mA, 2V
Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	400mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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