2SJ360(F)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2SJ360(F)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 60V 1A SC-62
Specifiche:	1.2SJ360(F).pdf 2.2SJ360(F).pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3276 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3276 pcs

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Specifiche di 2SJ360(F)

Modello di prodotti	2SJ360(F)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET P-CH 60V 1A SC-62	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3276 pcs	Scheda dati	1.2SJ360(F).pdf 2.2SJ360(F).pdf
Vgs (th) (max) a Id	2V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	PW-MINI
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	730 mOhm @ 500mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)	imballaggio	Bulk
Contenitore / involucro	TO-243AA	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	155pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	6.5nC @ 10V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	P-Channel 60V 1A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PW-MINI
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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