BAS316,H3F

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BAS316,H3F
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	DIODE GEN PURP 100V 250MA USC
Specifiche:	BAS316,H3F.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3142172 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3142172 pcs

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Specifiche di BAS316,H3F

Modello di prodotti	BAS316,H3F	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	DIODE GEN PURP 100V 250MA USC	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3142172 pcs	Scheda dati	BAS316,H3F.pdf
Tensione - diretta (Vf) (max) a If	1.25V @ 150mA	Tensione - inversa (Vr) (max)	100V
Contenitore dispositivo fornitore	USC	Velocità	Fast Recovery = 200mA (Io)
Serie	-	Tempo di ripristino inverso (trr)	3ns
Contenitore / involucro	SC-76, SOD-323	Altri nomi	BAS316H3F
Temperatura di funzionamento - Giunzione	150°C (Max)	Tipo montaggio	Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Tipo diodo	Standard
Descrizione dettagliata	Diode Standard 100V 250mA Surface Mount USC	Corrente - Dispersione inversa a Vr	200nA @ 80V
Corrente - raddrizzata media (Io)	250mA	Capacità a Vr, F	0.35pF @ 0V, 1MHz

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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