RN1110ACT(TPL3)

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN1110ACT(TPL3)
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	219460 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 219460 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

1 pcs: $0.148

10 pcs: $0.106

25 pcs: $0.082

100 pcs: $0.062

250 pcs: $0.044

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Specifiche di RN1110ACT(TPL3)

Modello di prodotti	RN1110ACT(TPL3)	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.1W CST3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	219460 pcs	Scheda dati
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	150mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	CST3
Serie	-	Resistor - Base (R1)	47 kOhms
Potenza - Max	100mW	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	SC-101, SOT-883	Altri nomi	RN1110ACT(TPL3)CT
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 80mA 100mW Surface Mount CST3
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	100nA (ICBO)
Corrente - collettore (Ic) (max)	80mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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