RN1416,LF

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN1416,LF
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI
Specifiche:	RN1416,LF.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	393638 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 393638 pcs

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Specifiche di RN1416,LF

Modello di prodotti	RN1416,LF	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 0.2W S-MINI	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	393638 pcs	Scheda dati	RN1416,LF.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	S-Mini
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	10 kOhms
Resistor - Base (R1)	4.7 kOhms	Potenza - Max	200mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Altri nomi	RN1416LFCT	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 200mW Surface Mount S-Mini
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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