RN4907FE,LF(CB

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	RN4907FE,LF(CB
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Specifiche:	RN4907FE,LF(CB.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	416300 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 416300 pcs

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Specifiche di RN4907FE,LF(CB

Modello di prodotti	RN4907FE,LF(CB	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	416300 pcs	Scheda dati	RN4907FE,LF(CB.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)	Contenitore dispositivo fornitore	ES6
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	10 kOhms	Potenza - Max	100mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666
Altri nomi	RN4907FE(T5LFT)CT RN4907FE(T5LFT)CT-ND RN4907FELF(CBCT RN4907FELF(CTCT RN4907FELF(CTCT-ND	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Frequenza - transizione	250MHz, 200MHz	Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) 50V 100mA 250MHz, 200MHz 100mW Surface Mount ES6
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V	Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA
Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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