SSM4K27CTTPL3

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SSM4K27CTTPL3
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 20V .5A CST4
Specifiche:	1.SSM4K27CTTPL3.pdf 2.SSM4K27CTTPL3.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5710 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5710 pcs

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Specifiche di SSM4K27CTTPL3

Modello di prodotti	SSM4K27CTTPL3	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 20V .5A CST4	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5710 pcs	Scheda dati	1.SSM4K27CTTPL3.pdf 2.SSM4K27CTTPL3.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.1V @ 1mA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	CST4 (1.2x0.8)
Serie	U-MOSIII	Rds On (max) a Id, Vgs	205 mOhm @ 250mA, 4V
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	4-SMD, No Lead	Altri nomi	SSM4K27CT(TPL3)DKR SSM4K27CT(TPL3)DKR-ND SSM4K27CTTPL3DKR
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	174pF @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	N-Channel 20V 500mA (Ta) 400mW (Ta) Surface Mount CST4 (1.2x0.8)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	500mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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