SSM6P35FE,LM

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	SSM6P35FE,LM
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6
Specifiche:	SSM6P35FE,LM.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	7006 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 7006 pcs

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Specifiche di SSM6P35FE,LM

Modello di prodotti	SSM6P35FE,LM	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET 2NCH 20V 100MA ES6	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	7006 pcs	Scheda dati	SSM6P35FE,LM.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1V @ 1mA	Contenitore dispositivo fornitore	ES6
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	8 Ohm @ 50mA, 4V
Potenza - Max	150mW	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	SOT-563, SOT-666	Altri nomi	SSM6P35FE,LM(B SSM6P35FE,LM(T SSM6P35FELM
temperatura di esercizio	150°C	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	12.2pF @ 3V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-
Tipo FET	2 P-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Standard
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 100mA 150mW Surface Mount ES6
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100mA

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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