TK10A60W,S4VX

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK10A60W,S4VX
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS
Specifiche:	TK10A60W,S4VX.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	33191 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 33191 pcs

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Specifiche di TK10A60W,S4VX

Modello di prodotti	TK10A60W,S4VX	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 9.7A TO-220SIS	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	33191 pcs	Scheda dati	TK10A60W,S4VX.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.7V @ 500µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220SIS
Serie	DTMOSIV	Rds On (max) a Id, Vgs	380 mOhm @ 4.9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	TK10A60W,S4VX(M TK10A60WS4VX
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	700pF @ 300V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	20nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	Super Junction
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 9.7A (Ta) 30W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9.7A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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