TK34A10N1,S4X

Toshiba Semiconductor and Storage

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TK34A10N1,S4X
Costruttore / Marca:	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 34A TO-220
Specifiche:	TK34A10N1,S4X.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	46339 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 46339 pcs

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Specifiche di TK34A10N1,S4X

Modello di prodotti	TK34A10N1,S4X	fabbricante	Toshiba Semiconductor and Storage
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 34A TO-220	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	46339 pcs	Scheda dati	TK34A10N1,S4X.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 500µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-220SIS
Serie	U-MOSVIII-H	Rds On (max) a Id, Vgs	9.5 mOhm @ 17A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	35W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-220-3 Full Pack	Altri nomi	TK34A10N1,S4X(S TK34A10N1,S4X-ND TK34A10N1S4X
temperatura di esercizio	150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2600pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	38nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 34A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220SIS	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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