TP65H050WS

Transphorm

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	TP65H050WS
Costruttore / Marca:	Transphorm
Descrizione del prodotto	650 V 34 A CASCODE GAN FET
Specifiche:	TP65H050WS.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4400 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4400 pcs

Prezzo di riferimento (in dollari USA)

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Specifiche di TP65H050WS

Modello di prodotti	TP65H050WS	fabbricante	Transphorm
Descrizione	650 V 34 A CASCODE GAN FET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4400 pcs	Scheda dati	TP65H050WS.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4.8V @ 700µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	GaNFET (Gallium Nitride)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-247-3
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	60 mOhm @ 22A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	119W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-247-3
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	3 (168 Hours)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1000pF @ 400V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	24nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	650V
Descrizione dettagliata	N-Channel 650V 34A (Tc) 119W (Tc) Through Hole TO-247-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	34A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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