2N5551RLRAG

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N5551RLRAG
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 160V 0.6A TO92
Specifiche:	2N5551RLRAG.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3884 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3884 pcs

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Specifiche di 2N5551RLRAG

Modello di prodotti	2N5551RLRAG	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 160V 0.6A TO92	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3884 pcs	Scheda dati	2N5551RLRAG.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	160V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92-3
Serie	-	Potenza - Max	625mW
imballaggio	Cut Tape (CT)	Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi	2N5551RLRAGOSCT	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	300MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 300MHz 625mW Through Hole TO-92-3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	50nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA
Numero di parte base	2N5551

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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