2N5551TA

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N5551TA
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS NPN 160V 0.6A TO-92
Specifiche:	2N5551TA.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2099043 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2099043 pcs

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Specifiche di 2N5551TA

Modello di prodotti	2N5551TA	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS NPN 160V 0.6A TO-92	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2099043 pcs	Scheda dati	2N5551TA.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	160V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	200mV @ 5mA, 50mA
Tipo transistor	NPN	Contenitore dispositivo fornitore	TO-92-3
Serie	-	Potenza - Max	625mW
imballaggio	Tape & Box (TB)	Contenitore / involucro	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Altri nomi	2N5551TA-ND 2N5551TAFSTB 2N5551TATB 2N5551TATB-ND	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	100MHz
Descrizione dettagliata	Bipolar (BJT) Transistor NPN 160V 600mA 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	50nA (ICBO)	Corrente - collettore (Ic) (max)	600mA
Numero di parte base	2N5551

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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