2N7002ET3G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N7002ET3G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23
Specifiche:
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5317 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5317 pcs

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Specifiche di 2N7002ET3G

Modello di prodotti	2N7002ET3G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5317 pcs	Scheda dati
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	2.5 Ohm @ 240mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	300mW (Tj)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	26.7pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	0.81nC @ 5V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	60V	Descrizione dettagliata	N-Channel 60V 260mA (Ta) 300mW (Tj) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	260mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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