2N7002H6327XTSA2

Infineon Technologies

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	2N7002H6327XTSA2
Costruttore / Marca:	International Rectifier (Infineon Technologies)
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT363
Specifiche:	2N7002H6327XTSA2.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2591112 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2591112 pcs

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Specifiche di 2N7002H6327XTSA2

Modello di prodotti	2N7002H6327XTSA2	fabbricante	Infineon Technologies
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT363	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2591112 pcs	Scheda dati	2N7002H6327XTSA2.pdf
Tensione - Prova	20pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	PG-SOT23-3
Vgs (th) (max) a Id	3 Ohm @ 500mA, 10V	Vgs (Max)	4.5V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	OptiMOS™
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	300mA (Ta)
Polarizzazione	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	2N7002H6327XTSA2TR SP000929182
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	2N7002H6327XTSA2
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	0.6nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	2.5V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 60V 300mA (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23-3	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 60V 0.3A SOT363	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	60V
rapporto di capacità	500mW (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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