ATP108-TL-H

ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ATP108-TL-H
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK
Specifiche:	ATP108-TL-H.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	134178 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 134178 pcs

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Specifiche di ATP108-TL-H

Modello di prodotti	ATP108-TL-H	fabbricante	ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	134178 pcs	Scheda dati	ATP108-TL-H.pdf
Tensione - Prova	3850pF @ 20V	Tensione - Ripartizione	ATPAK
Vgs (th) (max) a Id	10.4 mOhm @ 35A, 10V	Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Serie	-	Stato RoHS	Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs	70A (Ta)	Polarizzazione	ATPAK (2 leads+tab)
Altri nomi	869-1076-2 869-1076-2-ND ATP108-SPL ATP108-TL-HOSTR	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)
codice articolo del costruttore	ATP108-TL-H	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	79.5nC @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	-	Caratteristica FET	P-Channel
Descrizione espansione	P-Channel 40V 70A (Ta) 60W (Tc) Surface Mount ATPAK	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET P-CH 40V 70A ATPAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	40V
rapporto di capacità	60W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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