ATP201-TL-H

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	ATP201-TL-H
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK
Specifiche:	ATP201-TL-H.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	3457 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 3457 pcs

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Specifiche di ATP201-TL-H

Modello di prodotti	ATP201-TL-H	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 35A ATPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	3457 pcs	Scheda dati	ATP201-TL-H.pdf
Vgs (th) (max) a Id	-	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	ATPAK
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	17 mOhm @ 18A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	30W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	ATPAK (2 leads+tab)	temperatura di esercizio	150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	985pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 35A (Ta) 30W (Tc) Surface Mount ATPAK
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	35A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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