BSS123LT1

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	BSS123LT1
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23
Specifiche:	1.BSS123LT1.pdf 2.BSS123LT1.pdf
Stato RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
Condizione di scorta	6601 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 6601 pcs

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Specifiche di BSS123LT1

Modello di prodotti	BSS123LT1	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT-23	Stato Lead senza piombo / RoHS	Contiene piombo / RoHS non conforme
quantità disponibile	6601 pcs	Scheda dati	1.BSS123LT1.pdf 2.BSS123LT1.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.8V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-23-3 (TO-236)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	6 Ohm @ 100mA, 10V
Dissipazione di potenza (max)	225mW (Ta)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	BSS123LT1OSCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Contains lead / RoHS non-compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20pF @ 25V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 170mA (Ta) 225mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	170mA (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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