DTC123JM3T5G

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTC123JM3T5G
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723
Specifiche:	DTC123JM3T5G.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	2369978 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 2369978 pcs

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Specifiche di DTC123JM3T5G

Modello di prodotti	DTC123JM3T5G	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 260MW SOT723	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	2369978 pcs	Scheda dati	DTC123JM3T5G.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	250mV @ 1mA, 10mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SOT-723
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	260mW
imballaggio	Tape & Reel (TR)	Contenitore / involucro	SOT-723
Altri nomi	DTC123JM3T5G-ND DTC123JM3T5GOSTR	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 260mW Surface Mount SOT-723	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 5mA, 10V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	DTC123

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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