DTC123JSATP

LAPIS Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	DTC123JSATP
Costruttore / Marca:	LAPIS Semiconductor
Descrizione del prodotto	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT
Specifiche:	DTC123JSATP.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4885 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4885 pcs

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Specifiche di DTC123JSATP

Modello di prodotti	DTC123JSATP	fabbricante	LAPIS Semiconductor
Descrizione	TRANS PREBIAS NPN 300MW SPT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4885 pcs	Scheda dati	DTC123JSATP.pdf
Tensione - rottura collettore-emettitore (max)	50V	Vce saturazione (max) a Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Tipo transistor	NPN - Pre-Biased	Contenitore dispositivo fornitore	SPT
Serie	-	Resistor - Emitter Base (R2)	47 kOhms
Resistor - Base (R1)	2.2 kOhms	Potenza - Max	300mW
imballaggio	Tape & Box (TB)	Contenitore / involucro	SC-72 Formed Leads
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Frequenza - transizione	250MHz
Descrizione dettagliata	Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 50V 100mA 250MHz 300mW Through Hole SPT	Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce	80 @ 10mA, 5V
Corrente - Cutoff collettore (max)	500nA	Corrente - collettore (Ic) (max)	100mA
Numero di parte base	DTC123

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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