FCD380N60E

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCD380N60E
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
Specifiche:	FCD380N60E.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	94611 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 94611 pcs

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Specifiche di FCD380N60E

Modello di prodotti	FCD380N60E	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	94611 pcs	Scheda dati	FCD380N60E.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-Pak
Serie	SuperFET® II	Rds On (max) a Id, Vgs	380 mOhm @ 5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	106W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FCD380N60ETR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1770pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	600V
Descrizione dettagliata	N-Channel 600V 10.2A (Tc) 106W (Tc) Surface Mount D-Pak	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	10.2A (Tc)
Numero di parte base	FCD380N60

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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