FCD3400N80Z

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FCD3400N80Z
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK
Specifiche:	FCD3400N80Z.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	219848 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 219848 pcs

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Specifiche di FCD3400N80Z

Modello di prodotti	FCD3400N80Z	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	219848 pcs	Scheda dati	FCD3400N80Z.pdf
Tensione - Prova	400pF @ 100V	Tensione - Ripartizione	DPAK
Vgs (th) (max) a Id	3.4 Ohm @ 1A, 10V	Vgs (Max)	10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	SuperFET® II
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	2A (Tc)
Polarizzazione	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FCD3400N80ZTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	FCD3400N80Z
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9.6nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4.5V @ 200µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 800V 2A (Tc) 32W (Tc) Surface Mount DPAK	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 2A D2PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	800V
rapporto di capacità	32W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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