FDA16N50-F109

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDA16N50-F109
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P
Specifiche:	FDA16N50-F109.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	31295 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 31295 pcs

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Specifiche di FDA16N50-F109

Modello di prodotti	FDA16N50-F109	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 500V 16.5A TO-3P	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	31295 pcs	Scheda dati	FDA16N50-F109.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PN
Serie	UniFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	380 mOhm @ 8.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	205W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3	Altri nomi	FDA16N50_F109 FDA16N50_F109-ND
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Through Hole
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1945pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	500V
Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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