FDA16N50LDTU

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDA16N50LDTU
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT
Specifiche:	FDA16N50LDTU.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	22348 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 22348 pcs

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Specifiche di FDA16N50LDTU

Modello di prodotti	FDA16N50LDTU	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	UNIFET N-CHANNEL 500V MOSFET LDT	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	22348 pcs	Scheda dati	FDA16N50LDTU.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	TO-3PN (L-Forming)
Serie	-	Rds On (max) a Id, Vgs	380 mOhm @ 8.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	205W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads)	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1945pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	45nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Tensione drain-source (Vdss)	500V	Descrizione dettagliata	N-Channel 500V 16.5A (Tc) 205W (Tc) Through Hole TO-3PN (L-Forming)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	16.5A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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