FDB16AN08A0

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB16AN08A0
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB
Specifiche:	FDB16AN08A0.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	69500 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 69500 pcs

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Specifiche di FDB16AN08A0

Modello di prodotti	FDB16AN08A0	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 75V 58A TO-263AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	69500 pcs	Scheda dati	FDB16AN08A0.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	16 mOhm @ 58A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	135W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FDB16AN08A0-ND FDB16AN08A0TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1857pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	42nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	75V
Descrizione dettagliata	N-Channel 75V 9A (Ta), 58A (Tc) 135W (Tc) Surface Mount D²PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 58A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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DHL	www.DHL.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.
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TNT	www.TNT.com	A partire da $ 35,00 le spese di spedizione di base dipendono dalla zona e dal paese.

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