FDB1D7N10CL7

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB1D7N10CL7
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	FET 100V 1.7 MOHM D2PAK
Specifiche:	FDB1D7N10CL7.pdf
Condizione di scorta	10577 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDB1D7N10CL7

Modello di prodotti	FDB1D7N10CL7	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	FET 100V 1.7 MOHM D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS
quantità disponibile	10577 pcs	Scheda dati	FDB1D7N10CL7.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 700µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK (TO-263)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	1.65 mOhm @ 100A, 15V
Dissipazione di potenza (max)	250W (Tc)	Contenitore / involucro	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Stato senza piombo	Lead free	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	11600pF @ 50V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	163nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 15V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 268A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	268A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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