FDB38N30U

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB38N30U
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N CH 300V 38A D2PAK
Specifiche:	FDB38N30U.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	27776 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 27776 pcs

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Specifiche di FDB38N30U

Modello di prodotti	FDB38N30U	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N CH 300V 38A D2PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	27776 pcs	Scheda dati	FDB38N30U.pdf
Vgs (th) (max) a Id	5V @ 250µA	Vgs (Max)	±30V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D²PAK
Serie	UniFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	120 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	313W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FDB38N30UCT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3340pF @ 25V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	73nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	10V	Tensione drain-source (Vdss)	300V
Descrizione dettagliata	N-Channel 300V 38A (Tc) 313W (Tc) Surface Mount D²PAK	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	38A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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