FDB3682

Fairchild/ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDB3682
Costruttore / Marca:	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB
Specifiche:	FDB3682.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	110400 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Specifiche di FDB3682

Modello di prodotti	FDB3682	fabbricante	Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	110400 pcs	Scheda dati	FDB3682.pdf
Tensione - Prova	1250pF @ 25V	Tensione - Ripartizione	D²PAK (TO-263AB)
Vgs (th) (max) a Id	36 mOhm @ 32A, 10V	Vgs (Max)	6V, 10V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Serie	PowerTrench®
Stato RoHS	Tape & Reel (TR)	Rds On (max) a Id, Vgs	6A (Ta), 32A (Tc)
Polarizzazione	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Altri nomi	FDB3682-ND FDB3682FSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Livello di sensibilità umidità (MSL)	1 (Unlimited)	codice articolo del costruttore	FDB3682
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	28nC @ 10V	Tipo IGBT	±20V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	4V @ 250µA	Caratteristica FET	N-Channel
Descrizione espansione	N-Channel 100V 6A (Ta), 32A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263AB)	Tensione drain-source (Vdss)	-
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 6A TO-263AB	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	100V
rapporto di capacità	95W (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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