FDD6688S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD6688S
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK
Specifiche:	FDD6688S.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4113 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4113 pcs

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Specifiche di FDD6688S

Modello di prodotti	FDD6688S	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 88A D-PAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4113 pcs	Scheda dati	FDD6688S.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	5.1 mOhm @ 18.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	69W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3290pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	81nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 88A (Ta) 69W (Ta) Surface Mount D-PAK (TO-252)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	88A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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