FDD6778A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD6778A
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 25V 12A DPAK
Specifiche:	FDD6778A.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4419 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4419 pcs

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Specifiche di FDD6778A

Modello di prodotti	FDD6778A	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 25V 12A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4419 pcs	Scheda dati	FDD6778A.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	14 mOhm @ 10A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 24W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FDD6778ATR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	870pF @ 13V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 12A (Ta), 10A (Tc) 3.7W (Ta), 24W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	12A (Ta), 10A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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