FDD6796A

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDD6796A
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET NCH 25V 20A DPAK
Specifiche:	FDD6796A.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5831 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5831 pcs

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Specifiche di FDD6796A

Modello di prodotti	FDD6796A	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET NCH 25V 20A DPAK	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5831 pcs	Scheda dati	FDD6796A.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	D-PAK (TO-252)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	5.7 mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	3.7W (Ta), 42W (Tc)	imballaggio	Cut Tape (CT)
Contenitore / involucro	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Altri nomi	FDD6796ACT
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1780pF @ 13V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	34nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	25V
Descrizione dettagliata	N-Channel 25V 20A (Ta), 40A (Tc) 3.7W (Ta), 42W (Tc) Surface Mount D-PAK (TO-252)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	20A (Ta), 40A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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