FDFMA2P029Z-F106

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDFMA2P029Z-F106
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	-20V -3.1A 95 O PCH ER T
Specifiche:	FDFMA2P029Z-F106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	263293 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 263293 pcs

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Specifiche di FDFMA2P029Z-F106

Modello di prodotti	FDFMA2P029Z-F106	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	-20V -3.1A 95 O PCH ER T	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	263293 pcs	Scheda dati	FDFMA2P029Z-F106.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±12V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	6-MicroFET (2x2)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	95 mOhm @ 3.1A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.4W (Ta)	Contenitore / involucro	6-WDFN Exposed Pad
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	720pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	Schottky Diode (Isolated)	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 3.1A (Ta) 1.4W (Ta) Surface Mount 6-MicroFET (2x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	3.1A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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(SOLO PER circuiti integrati, protezione di circuiti, RF / IF e RFID, optoelettronica, sensori, trasduttori, trasformatori, isolatori, interruttori, relè)

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