FDI3652

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDI3652
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA
Specifiche:	FDI3652.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4576 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4576 pcs

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Specifiche di FDI3652

Modello di prodotti	FDI3652	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 61A TO-262AA	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4576 pcs	Scheda dati	FDI3652.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	I2PAK (TO-262)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	16 mOhm @ 61A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	150W (Tc)	imballaggio	Tube
Contenitore / involucro	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA	temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo montaggio	Through Hole	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2880pF @ 25V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	53nC @ 10V	Tipo FET	N-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V
Tensione drain-source (Vdss)	100V	Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 9A (Ta), 61A (Tc) 150W (Tc) Through Hole I2PAK (TO-262)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 61A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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