FDM606P

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDM606P
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET
Specifiche:	FDM606P.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	244756 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 244756 pcs

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Specifiche di FDM606P

Modello di prodotti	FDM606P	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 20V 6.8A MICROFET	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	244756 pcs	Scheda dati	FDM606P.pdf
Vgs (th) (max) a Id	1.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±8V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-MLP, MicroFET (3x2)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	30 mOhm @ 6.8A, 4.5V
Dissipazione di potenza (max)	1.92W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-SMD, Flat Lead Exposed Pad	temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio	Surface Mount	Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)
Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2200pF @ 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	30nC @ 4.5V	Tipo FET	P-Channel
Caratteristica FET	-	Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	1.8V, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss)	20V	Descrizione dettagliata	P-Channel 20V 6.8A (Tc) 1.92W (Ta) Surface Mount 8-MLP, MicroFET (3x2)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6.8A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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