FDM6296

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDM6296
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33
Specifiche:	FDM6296.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	4970 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 4970 pcs

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Specifiche di FDM6296

Modello di prodotti	FDM6296	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 11.5A POWER33	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	4970 pcs	Scheda dati	FDM6296.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-Power33 (3x3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	10.5 mOhm @ 11.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.1W (Ta)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerVDFN	Altri nomi	FDM6296-ND FDM6296TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2005pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	17nC @ 5V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 11.5A (Ta) 2.1W (Ta) Surface Mount 8-Power33 (3x3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	11.5A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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