FDMC8026S

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC8026S
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP
Specifiche:	FDMC8026S.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	163286 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 163286 pcs

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Specifiche di FDMC8026S

Modello di prodotti	FDMC8026S	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 19A 8MLP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	163286 pcs	Scheda dati	FDMC8026S.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 1mA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®, SyncFET™	Rds On (max) a Id, Vgs	4.4 mOhm @ 19A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.4W (Ta), 36W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC8026S-ND FDMC8026STR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	3165pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	N-Channel 30V 19A (Ta), 21A (Tc) 2.4W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	19A (Ta), 21A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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