FDMC8200S_F106

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC8200S_F106
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP
Specifiche:	FDMC8200S_F106.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	5263 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 5263 pcs

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Specifiche di FDMC8200S_F106

Modello di prodotti	FDMC8200S_F106	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET 2N-CH 30V 6A/8.5A 8MLP	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	5263 pcs	Scheda dati	FDMC8200S_F106.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Contenitore dispositivo fornitore	8-Power33 (3x3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	20 mOhm @ 6A, 10V
Potenza - Max	700mW, 1W	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC8200S_F106DKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	660pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 10V
Tipo FET	2 N-Channel (Dual)	Caratteristica FET	Logic Level Gate
Tensione drain-source (Vdss)	30V	Descrizione dettagliata	Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A, 8.5A 700mW, 1W Surface Mount 8-Power33 (3x3)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	6A, 8.5A

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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