FDMC86102L

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC86102L
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 7A POWER33
Specifiche:	FDMC86102L.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	135990 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 135990 pcs

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Specifiche di FDMC86102L

Modello di prodotti	FDMC86102L	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 7A POWER33	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	135990 pcs	Scheda dati	FDMC86102L.pdf
Vgs (th) (max) a Id	3V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	8-MLP (3.3x3.3)
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	23 mOhm @ 7A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.3W (Ta), 41W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC86102L-ND FDMC86102LFSTR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1330pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 7A (Ta), 18A (Tc) 2.3W (Ta), 41W (Tc) Surface Mount 8-MLP (3.3x3.3)	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	7A (Ta), 18A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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