FDMC86160ET100

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDMC86160ET100
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET N-CH 100V 9A POWER33
Specifiche:	FDMC86160ET100.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	88318 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 88318 pcs

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Specifiche di FDMC86160ET100

Modello di prodotti	FDMC86160ET100	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 9A POWER33	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	88318 pcs	Scheda dati	FDMC86160ET100.pdf
Vgs (th) (max) a Id	4V @ 250µA	Vgs (Max)	±20V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	Power33
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	14 mOhm @ 9A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	2.8W (Ta), 65W (Tc)	imballaggio	Tape & Reel (TR)
Contenitore / involucro	8-PowerWDFN	Altri nomi	FDMC86160ET100TR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1290pF @ 50V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	22nC @ 10V
Tipo FET	N-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	6V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	100V
Descrizione dettagliata	N-Channel 100V 9A (Ta), 43A (Tc) 2.8W (Ta), 65W (Tc) Surface Mount Power33	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	9A (Ta), 43A (Tc)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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