FDN352AP

AMI Semiconductor / ON Semiconductor

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Panoramica del Prodotto

Modello di prodotti:	FDN352AP
Costruttore / Marca:	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione del prodotto	MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3
Specifiche:	1.FDN352AP.pdf 2.FDN352AP.pdf
Stato RoHS	Senza piombo / RoHS
Condizione di scorta	198495 pcs stock
Nave da	Hong Kong
Modo di spedizione	DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

In Stock 198495 pcs

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Specifiche di FDN352AP

Modello di prodotti	FDN352AP	fabbricante	AMI Semiconductor / ON Semiconductor
Descrizione	MOSFET P-CH 30V 1.3A SSOT-3	Stato Lead senza piombo / RoHS	Senza piombo / RoHS
quantità disponibile	198495 pcs	Scheda dati	1.FDN352AP.pdf 2.FDN352AP.pdf
Vgs (th) (max) a Id	2.5V @ 250µA	Vgs (Max)	±25V
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)	Contenitore dispositivo fornitore	SuperSOT-3
Serie	PowerTrench®	Rds On (max) a Id, Vgs	180 mOhm @ 1.3A, 10V
Dissipazione di potenza (max)	500mW (Ta)	imballaggio	Original-Reel®
Contenitore / involucro	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	Altri nomi	FDN352APDKR
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)	Tipo montaggio	Surface Mount
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unlimited)	Stato senza piombo / Stato RoHS	Lead free / RoHS Compliant
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	150pF @ 15V	Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs	1.9nC @ 4.5V
Tipo FET	P-Channel	Caratteristica FET	-
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V	Tensione drain-source (Vdss)	30V
Descrizione dettagliata	P-Channel 30V 1.3A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount SuperSOT-3	Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C	1.3A (Ta)

Metodo di spedizione
Post-Vendita
Specifiche

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